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三極管的共射特性曲線(xiàn)詳解

發(fā)布時(shí)間:2020-03-16 責任編輯:lina

【導讀】三極管的特性曲線(xiàn)是描述三極管各個(gè)電極之間電壓與電流關(guān)系的曲線(xiàn),它們是三極管內部載流子運動(dòng)規律在管子外部的表現。三極管的特性曲線(xiàn)反映了管子的技術(shù)性能,是分析放大電路技術(shù)指標的重要依據。
  
液體電解電容的電介質(zhì)為液態(tài)電解液,液態(tài)粒子在高溫下十分活躍,對電容內部產(chǎn)生壓力,它的沸點(diǎn)不是很高,因此可能會(huì )出現爆漿的情況,固態(tài)電容采用了高分子電介質(zhì),固態(tài)粒子在高溫下,無(wú)論是粒子澎漲或是活躍性均較液態(tài)電解液低,它的沸點(diǎn)也高達攝氏 350 度,因此幾乎不可能出現爆漿的可能性。從理論上來(lái)說(shuō),固態(tài)電容幾乎不可能爆漿。
 
固態(tài)電容在等效串聯(lián)阻抗表現上相比傳統電解電容有更優(yōu)異的表現,據測試顯示,固態(tài)電容在高頻運作時(shí)等效串聯(lián)電阻極為微小,而且導電性頻率特佳,具有降低電阻抗和更低熱輸出的特色,在 100KHz 至 10MHz 之間表現最為明顯。
 
三極管的共射特性曲線(xiàn)詳解(5-3) 三極管的輸入特性曲線(xiàn)如圖5-6所示。由圖5-6可見(jiàn)NPN型三極管共射極輸入持性曲線(xiàn)的特點(diǎn)是:BE雖己大于零,但iB幾乎仍為零,只有當uBE的值大于開(kāi)啟電壓后,iB的值與二極管一樣隨uBE的增加按指數規律增大。硅晶體管的開(kāi)啟電壓約為0.5V,發(fā)射結導通電壓Von約為0.6~0.7v;鍺晶體管的開(kāi)啟電壓約為0.2v,發(fā)射結導通電壓約為0.2~0.3v。
 
三極管的共射特性曲線(xiàn)詳解
 
CE=0V,UCE=0.5V和UCE=1V的情況。當UCE=0V時(shí),相當于集電極和發(fā)射極短路,即集電結和發(fā)射結并聯(lián),輸入特性曲線(xiàn)和PN結的正向特性曲線(xiàn)相類(lèi)似。當UCE=1V,集電結已處在反向偏置,管子工作在放大區,集電極收集基區擴散過(guò)來(lái)的電子,使在相同uBE值的情況下,流向基極的電流iB減小,輸入特性隨著(zhù)UCE的增大而右移。當UCE>1V以后,輸入特性幾乎與UCE=1V時(shí)的特性曲線(xiàn)重合,這是因為Vcc>lV后,集電極已將發(fā)射區發(fā)射過(guò)來(lái)的電子幾乎全部收集走,對基區電子與空穴的復合影響不大,iB的改變也不明顯。CE必須大于l伏,所以,只要給出UCE=1V時(shí)的輸入特性就可以了。
 
2、輸出特性曲線(xiàn)
 
輸出特性曲線(xiàn)是描述三極管在輸入電流iB保持不變的前提下,集電極電流iC和管壓降uCE之間的函數關(guān)系,即
 
三極管的共射特性曲線(xiàn)詳解(5-4) 三極管的輸出特性曲線(xiàn)如圖5-7所示。由圖5-7可見(jiàn),當IB改變時(shí),iC和uCE的關(guān)系是一組平行的曲線(xiàn)族,并有截止、放大、飽和三個(gè)工作區。
 
三極管的共射特性曲線(xiàn)詳解
 
(1)截止區 
 
IB=0持性曲線(xiàn)以下的區域稱(chēng)為截止區。此時(shí)晶體管的集電結處于反偏,發(fā)射結電壓uBE<0,也是處于反偏的狀態(tài)。由于iB=0,在反向飽和電流可忽略的前提下,iC=βiB也等于0,晶體管無(wú)電流的放大作用。處在截止狀態(tài)下的三極管,發(fā)射極和集電結都是反偏,在電路中猶如一個(gè)斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)。實(shí)際的情況是:處在截止狀態(tài)下的三極管集電極有很小的電流ICE0,該電流稱(chēng)為三極管的穿透電流,它是在基極開(kāi)路時(shí)測得的集電極-發(fā)射極間的電流,不受iB的控制,但受溫度的影響。
 
 (2)飽和區 
 
在圖5-4的三極管放大電路中,集電極接有電阻RC,如果電源電壓VCC一定,當集電極電流iC增大時(shí),uCE=VCC-iCRC將下降,對于硅管,當uCE降低到小于0.7V時(shí),集電結也進(jìn)入正向偏置的狀態(tài),集電極吸引電子的能力將下降,此時(shí)iB再增大,iC幾乎就不再增大了,三極管失去了電流放大作用,處于這種狀態(tài)下工作的三極管稱(chēng)為飽和。規定UCE=UBE時(shí)的狀態(tài)為臨界飽和態(tài),圖5-7中的虛線(xiàn)為臨界飽和線(xiàn),在臨界飽和態(tài)下工作的三極管集電極電流和基極電流的關(guān)系為:三極管的共射特性曲線(xiàn)詳解(5-1-4) 式中的ICS,IBS,UCES分別為三極管處在臨界飽和態(tài)下的集電極電流、基極電流和管子兩端的電壓(飽和管壓降)。當管子兩端的電壓UCE<UCES時(shí),三極管將進(jìn)入深度飽和的狀態(tài),在深度飽和的狀態(tài)下,iC=βiB的關(guān)系不成立,三極管的發(fā)射結和集電結都處于正向偏置會(huì )導電的狀態(tài)下,在電路中猶如一個(gè)閉合的開(kāi)關(guān)。三極管截止和飽和的狀態(tài)與開(kāi)關(guān)斷、通的特性很相似,數字電路中的各種開(kāi)關(guān)電路就是利用三極管的這種特性來(lái)制作的。
 
(3)放大區 
 
三極管輸出特性曲線(xiàn)飽和區和截止區之間的部分就是放大區。工作在放大區的三極管才具有電流的放大作用。此時(shí)三極管的發(fā)射結處在正偏,集電結處在反偏。由放大區的特性曲線(xiàn)可見(jiàn),特性曲線(xiàn)非常平坦,當iB等量變化時(shí),iC幾乎也按一定比例等距離平行變化。由于iC只受iB控制,幾乎與uCE的大小無(wú)關(guān),說(shuō)明處在放大狀態(tài)下的三極管相當于一個(gè)輸出電流受IB控制的受控電流源。上述討論的是NPN型三極管的特性曲線(xiàn),PNP型三極管特性曲線(xiàn)是一組與NPN型三極管特性曲線(xiàn)關(guān)于原點(diǎn)對稱(chēng)的圖像。
 
  
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