【導讀】2015年5月15日，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）通過(guò)其全資子公司Silicon Storage Technology（SST）與GLOBALFOUNDRIES共同宣布，其共同推出的SST 55nm嵌入式SuperFlash® 非易失性存儲器（NVM）產(chǎn)品已通過(guò)全面認證并開(kāi)始向市場(chǎng)供貨，該產(chǎn)品基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗強化型（LPx）/RF平臺。
根據全球知名信息咨詢(xún)公司IHS預測，2015年汽車(chē)半導體市場(chǎng)規模將達到310億美元，相比2014年增幅可高達7.5%。而基于嵌入式閃存的半導體產(chǎn)品則在這一市場(chǎng)占有相當大的比重。
Microchip全資子公司SST技術(shù)許可部副總裁Mark Reiten表示：“嵌入式SuperFlash存儲器事實(shí)上已成為各代工廠(chǎng)生產(chǎn)單片機、智能卡及各種系統級芯片的標準。與GLOBALFOUNDRIES的合作，為我們搭建先進(jìn)的55nm嵌入式SuperFlash平臺帶來(lái)了巨大的技術(shù)優(yōu)勢，我們與各行業(yè)多個(gè)客戶(hù)的業(yè)務(wù)洽談也已經(jīng)在進(jìn)行當中。我們非常高興可以和GLOBALFOUNDRIES攜手進(jìn)一步鞏固公司在嵌入式閃存器件領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導地位。”
SST SuperFlash®技術(shù)與GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx完美結合，實(shí)現低功耗、低成本、高可靠性、優(yōu)異數據保存性能和高耐用性兼具的卓越客戶(hù)解決方案。
GLOBALFOUNDRIES結合分離柵極單元SuperFlash技術(shù)的55nm工藝經(jīng)認證測試符合JEDEC標準。同時(shí)，這一工藝技術(shù)還滿(mǎn)足在-40°C至125°C的環(huán)境溫度范圍下AEC-Q100 1級認證標準，耐用性達到10萬(wàn)次的擦寫(xiě)周期，可實(shí)現150°C條件下超過(guò)20年的數據保存年限。
GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品管理高級副總裁Gregg Bartlett表示：“GLOBALFOUNDRIES意識到市場(chǎng)需要一款低成本的嵌入式閃存平臺產(chǎn)品來(lái)實(shí)現安全的ID、混合信號、NFC/RF及新一代IoT應用。得益于公司與SST的深入合作，這項基于GLOBALFOUNDRIES高產(chǎn)的55nm低功耗工藝技術(shù)平臺而實(shí)現的55nm SuperFlash合格商用技術(shù)將有助為各重點(diǎn)行業(yè)的客戶(hù)提供高性能的解決方案。”
配備eNVM技術(shù)的GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx/RF平臺現已開(kāi)始投放市場(chǎng)。該平臺技術(shù)備有一個(gè)自定義庫，包含針對特定MCU產(chǎn)品應用而優(yōu)化的現成eNVM IP模塊，是一款可大幅縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期的解決方案。
