FOD8318它包含采用低RDS(ON) CMOS晶體管以進(jìn)行IGBT軌到軌驅動(dòng)的集成式柵極驅動(dòng)光電耦合器，以及用于故障檢測的集成式高速隔離反饋。它提供有源米勒箝位功能，可在高dv/dt狀態(tài)期間關(guān)斷IGBT，而無(wú)需負電源電壓。這樣可以簡(jiǎn)化設計，提高可靠性。此外，FOD8318還提供防止出現故障狀態(tài)所需的關(guān)鍵保護功能，這些狀態(tài)會(huì )導致IGBT的破壞性熱失控。

此器件特別適合驅動(dòng)快速開(kāi)關(guān)功率IGBT和MOSFET，適用于電機驅動(dòng)器、工業(yè)轉換器、太陽(yáng)能電源反相器、不間斷電源 (UPS)、 感應加熱和隔離式IGBT驅動(dòng)器等應用。

主要功能

- 有源米勒箝位功能可消除負電源電壓
- 內置 IGBT 保護功能
- 去飽和檢測
- IGBT軟斷開(kāi)
- 針對IGBT進(jìn)行優(yōu)化的欠壓閉鎖(UVLO)
- CMR專(zhuān)有的高抗噪性能： 35kV/µsec @Vcm-1500Vpeak
- 3.3V/5V，CMOS/TTL邏輯輸入
- 軌至軌寬幅輸出電壓范圍，以實(shí)現低功耗
- 安全和法規認證
- UL1577，4,243VRMS 持續1分鐘。
- DIN-EN/IEC60747-5-5，1,414V峰值工作電壓，8,000V峰值瞬態(tài)額定隔離電壓

FOD8318是飛兆全面的高性能光耦合器、電源管理IC、高電壓柵極驅動(dòng)器、分立功率IGBT/MOSFET產(chǎn)品組合的一部分，通過(guò)此類(lèi)解決方案，客戶(hù)能夠實(shí)施設計創(chuàng )新。FOD8318采用專(zhuān)有 Optoplanar共面封裝技術(shù)，具有高抗擾度。

Optoplanar技術(shù)確保了0.4毫米以上的安全隔離厚度、8毫米爬電和間隙距離，從而獲得了通過(guò)UL1577和DIN EN/IEC60747-5-5標準認證的可靠高壓隔離。

封裝和報價(jià)信息（訂購 1,000 個(gè)，美元）

按請求提供樣品。交貨期：收到訂單后 8-12 周內

該器件采用16引腳小尺寸塑料封裝，價(jià)格為：

FOD8318:     $3.80
FOD8318V:    $3.82