【導讀】功率MOSFET在構造上，如圖1存在寄生容量 MOSFET的G (柵極) 端子和其他的電極間由氧化膜絕緣，DS (漏極、源極) 間形成PN接合，成為內置二極管構造。Cgs, Cgd容量根據氧化膜的靜電容量、Cds根據內置二極管的接合容量決定。
關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性
MOSFET的靜電容量
功率MOSFET在構造上，如圖1存在寄生容量。
功率MOSFET在構造上，如圖1存在寄生容量 MOSFET的G (柵極) 端子和其他的電極間由氧化膜絕緣，DS (漏極、源極) 間形成PN接合，成為內置二極管構造。Cgs, Cgd容量根據氧化膜的靜電容量、Cds根據內置二極管的接合容量決定。
圖1: MOSFET的容量模型
一般而言MOSFET規格書(shū)上記載的是表1中的Ciss/Coss/Crss三類(lèi)。
表1 MOSFET的容量特性
容量特性如圖2所示，對DS (漏極、源極) 間電壓VDS存在依賴(lài)性。VDS大則容量值小。
圖2: 容量 - VDS 依存性
溫度特性
實(shí)測例見(jiàn)圖(1) ~ (3)所示
關(guān)于容量特性的溫度依存性幾乎沒(méi)有差異。
圖3: 容量溫度特性
關(guān)于MOSFET的開(kāi)關(guān)及其溫度特性
關(guān)于MOSFET的開(kāi)關(guān)時(shí)間
柵極電壓ON/OFF之后，MOSFET才ON/OFF。這個(gè)延遲時(shí)間為開(kāi)關(guān)時(shí)間。開(kāi)關(guān)時(shí)間如表1所示種類(lèi)，一般而言，規格書(shū)上記載td(on)/ tr/ td(off)/ tf。
ROHM根據圖2電路的測定值決定規格書(shū)的typ.值。
表1: MOSFET的SW特性
溫度特性
實(shí)測例如圖3(1)~(4)所示。
溫度上升的同時(shí)開(kāi)關(guān)時(shí)間略微增加，但是100°C上升時(shí)增加10%成左右，幾乎沒(méi)有開(kāi)關(guān)特性的溫度依存性。
圖3: 開(kāi)關(guān)溫度特性
關(guān)于MOSFET的VGS(th)(界限値)
關(guān)于MOSFET的VGS(th)
MOSFET開(kāi)啟時(shí)，GS (柵極、源極) 間需要的電壓稱(chēng)為VGS(th)（界限值)。
即輸入界限值以上的電壓時(shí)MOSFET為開(kāi)啟狀態(tài)。
那么MOSFET在開(kāi)啟狀態(tài)時(shí)能通過(guò)多少A電流？針對每個(gè)元件，在規格書(shū)的電氣特性欄里分別有記載。
表1為規格書(shū)的電氣特性欄示例。該情況下，輸入VDS=10V時(shí)，使1mA電流通過(guò)ID所需的柵極界限值電壓ID(th)為1.0V to 2.5V。
表1: 規格書(shū)的電氣特性欄
ID-VGS特性和溫度特性
ID-VGS特性和界限值溫度特性的實(shí)測例如圖1、2所示。
如圖1，為了通過(guò)絕大部分電流，需要比較大的柵極電壓。
表1所記載的機型，其規格書(shū)上的界限值為2.5V以下，但是為4V驅動(dòng)產(chǎn)品。
使用時(shí)請輸入使其充分開(kāi)啟的柵極電壓。
如圖2，界限值隨溫度而下降。
通過(guò)觀(guān)察界限值電壓變化，能夠計算元件的通道溫度。
圖1: ID-VGS特性
圖2: 界限值溫度特性
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