不少公司試圖開(kāi)發(fā)MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)，不過(guò)都同樣面臨著(zhù)大規模生產(chǎn)并大批量提供可靠產(chǎn)品的挑戰 。其中ADI公司積極投入MEMS開(kāi)關(guān)項目，并建設了自有先進(jìn)的MEMS開(kāi)關(guān)制造設施，以滿(mǎn)足業(yè)界對于量產(chǎn)的需求。

 

基本原理

 

ADI MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)的關(guān)鍵是靜電驅動(dòng)的微加工懸臂梁開(kāi)關(guān)組件概念。本質(zhì)上可以將它視作微米尺度的機械開(kāi)關(guān)，其金屬對金屬觸點(diǎn)通過(guò)靜電驅動(dòng)。

 

開(kāi)關(guān)采用三端子配置進(jìn)行連接。功能上可以將這些端子視為源極、柵極和漏極。下圖是開(kāi)關(guān)的簡(jiǎn)化示意圖，情況A表示開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)位置。

 

 

將一個(gè)直流電壓施加于柵極時(shí)，開(kāi)關(guān)梁上就會(huì )產(chǎn)生一個(gè)靜電下拉力。這種靜電力與平行板電容的正負帶電板之間的吸引力是相同的。當柵極電壓斜升至足夠高的值時(shí)，它會(huì )產(chǎn)生足夠大的吸引力（紅色箭頭）來(lái)克服開(kāi)關(guān)梁的彈簧阻力，開(kāi)關(guān)梁開(kāi)始向下移動(dòng)，直至觸點(diǎn)接觸漏極。過(guò)程如下圖情況B所示。

 

 

這時(shí)，源極和漏極之間的電路閉合，開(kāi)關(guān)接通。拉下開(kāi)關(guān)梁所需的實(shí)際力大小與懸臂梁的彈簧常數及其對運動(dòng)的阻力有關(guān)。注意：即使在接通位置，開(kāi)關(guān)梁仍有上拉開(kāi)關(guān)的彈簧力（藍色箭頭），但只要下拉靜電力（紅色箭頭）更大，開(kāi)關(guān)就會(huì )保持接通狀態(tài)。

 

最后，當移除柵極電壓時(shí)（下圖情況C），即柵極電極上為0V時(shí)，靜電吸引力消失，開(kāi)關(guān)梁作為彈簧具有足夠大的恢復力（藍色箭頭）來(lái)斷開(kāi)源極和漏極之間的連接，然后回到原始關(guān)斷位置。

 

 

下圖1為采用單刀四擲 (ST4T) 多路復用器配置的四個(gè)MEMS開(kāi)關(guān)的放大圖。每個(gè)開(kāi)關(guān)梁有五個(gè)并聯(lián)阻性觸點(diǎn)，用以降低開(kāi)關(guān)閉合時(shí)的電阻并提高功率處理能力。

 

圖1 ，四個(gè)MEMS懸臂式開(kāi)關(guān)梁（SP4T配置）

 

MEMS開(kāi)關(guān)需要高直流驅動(dòng)電壓來(lái)以靜電力驅動(dòng)開(kāi)關(guān)。為使器件盡可能容易使用并進(jìn)一步保障性能，ADI公司設計了配套驅動(dòng)器集成電路（IC）來(lái)產(chǎn)生高直流電壓，其與MEMS開(kāi)關(guān)共同封裝于QFN規格尺寸中。此外，所產(chǎn)生的高驅動(dòng)電壓以受控方式施加于開(kāi)關(guān)的柵極電極。它以微秒級時(shí)間斜升至高電壓。斜升有助于控制開(kāi)關(guān)梁的吸引和下拉，改善開(kāi)關(guān)的動(dòng)作性能、可靠性和使用壽命。下圖2顯示了一個(gè)QFN封裝中的驅動(dòng)器IC和MEMS芯片實(shí)例。驅動(dòng)器IC僅需要一個(gè)低電壓、低電流電源，可與標準CMOS邏輯驅動(dòng)電壓兼容。這種一同封裝的驅動(dòng)器使得開(kāi)關(guān)非常容易使用，并且其功耗要求非常低，大約在10mW到20mW范圍內。

 

圖2，驅動(dòng)器IC（左）和MEMS開(kāi)關(guān)芯片（右）安裝并線(xiàn)焊在金屬引線(xiàn)框架上

 

性能優(yōu)勢

 

以ADGM1004/ADGM1304 SP4T 系列為例，其各項參數與傳統機電繼電器比較 (圖3)  有著(zhù)不少明顯優(yōu)勢。

 

圖3， ADGM1004/ ADGM1304 MEMS與傳統機電繼電器比較

 

ADGM1004/ADGM1304 SP4T 同時(shí)含整合式驅動(dòng)器，適用于繼電器替代品、RF 測試儀器，以及 RF 切換。產(chǎn)品規格詳情及相關(guān)評估板EVAL-ADGM1004EBZ可瀏覽Digi-Key 產(chǎn)品專(zhuān)頁(yè)。

 

應用示例

 

過(guò)去，要在A(yíng)TE測試設備中實(shí)現dc/RF開(kāi)關(guān)功能，必須使用EMR開(kāi)關(guān)。但是，由于存在以下問(wèn)題，使用繼電器可能會(huì )限制系統性能：

 

繼電器開(kāi)關(guān)的尺寸較大，必須遵守“禁區”設計規則，這意味著(zhù)它要占用很大面積，缺乏測試可擴展性。

 

繼電器開(kāi)關(guān)的使用壽命有限，僅為數百萬(wàn)個(gè)周期。

 

必須級聯(lián)多個(gè)繼電器，才能實(shí)現需要的開(kāi)關(guān)配置（例如，SP4T配置需要三個(gè)SPDT繼電器）。

 

使用繼電器時(shí)，可能遇到PCB組裝問(wèn)題，通常導致很高的PCB返工率。

 

由于布線(xiàn)限制和繼電器性能限制，實(shí)現全帶寬性能可能非常困難。

 

繼電器驅動(dòng)速度緩慢，為毫秒級的時(shí)間量級，從而限制了測試速度。

 

以典型的dc/RF開(kāi)關(guān)扇出16:1多路復用功能為例 (圖4)，需要九個(gè)DPDT EMR繼電器和一個(gè)繼電器驅動(dòng)器IC，來(lái)實(shí)現18:1多路復用功能（八個(gè)DPDT繼電器只能產(chǎn)生14:1多路復用功能）。圖5中，顯示了相同的扇出開(kāi)關(guān)功能，僅使用五個(gè)ADGM1304或ADGM1004SP4T MEMS開(kāi)關(guān)，因而得以簡(jiǎn)化。

 

 

圖6中顯示了實(shí)現這兩個(gè)原理圖的視覺(jué)演示PCB的照片。左側顯示了物理繼電器解決方案，說(shuō)明了繼電器解決方案占用了多大的面積、保持布線(xiàn)連接之間的對稱(chēng)如何困難，以及對驅動(dòng)器IC的需求。從右側則可看出，占用PCB面積減小，開(kāi)關(guān)功能的布線(xiàn)復雜性降低。按面積計算，MEMS開(kāi)關(guān)使占用面積減少68%以上，按體積計算，則可能減少95%以上。

 

ADGM1304 和ADGM1004 MEMS開(kāi)關(guān)內置低電壓、可獨立控制的開(kāi)關(guān)驅動(dòng)器；因此，它們不需要外部驅動(dòng)器IC。由于MEMS開(kāi)關(guān)封裝的高度較?。ˋDGM1304的封裝高度為0.95mm，ADGM1004的封裝高度為1.45mm），因此開(kāi)關(guān)可以安裝PCB的反面。較小的封裝高度增大了可實(shí)現的信道密度。

 

圖6. DC/RF扇出測試板的視覺(jué)比較：實(shí)現16:1多路復用功能，使用九個(gè)EMR開(kāi)關(guān)（左黃）和五個(gè)MEMS開(kāi)關(guān)（右紅）

 

本文小結

 

最后，小尺寸解決方案通常對于任何市場(chǎng)都是一項關(guān)鍵要求。MEMS在這方面具有令人信服的優(yōu)勢。下圖7以實(shí)物照片比較了封裝后的ADI SP4T（四開(kāi)關(guān)）MEMS開(kāi)關(guān)設計和典型DPDT（四開(kāi)關(guān)）機電繼電器的尺寸。MEMS開(kāi)關(guān)節省了大量空間，其體積僅相當于繼電器的5%。這種超小尺寸顯著(zhù)節省了PCB板面積，增加PCB板的雙面開(kāi)發(fā)之可能。這一優(yōu)勢對于迫切需要提高信道密度的自動(dòng)測試設備制造商特別有價(jià)值。

 

圖7，ADI引線(xiàn)框芯片級封裝MEMS開(kāi)關(guān)（四開(kāi)關(guān)）與典型機電式RF繼電器（四開(kāi)關(guān)）的尺寸比較

 

 

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