【導讀】目前,氣體傳感器的應用日趨廣泛,在物聯(lián)網(wǎng)等泛在應用的推動(dòng)下,其技術(shù)發(fā)展方向開(kāi)始向小型化、集成化、模塊化、智能化方向發(fā)展。
具有代表性的基于金屬氧化物半導體敏感材料(MOS)氣體傳感器已廣泛應用于安全、環(huán)境、樓宇控制等領(lǐng)域的氣體檢測,該類(lèi)傳感器的能耗是制約其大規模布設的核心節點(diǎn),MEMS技術(shù)為解決MOS氣體傳感器的該類(lèi)問(wèn)題提供了強有力的有效途逕和方案。MEMS技術(shù)的應用也為該類(lèi)傳感器的集成化提供堅實(shí)的基礎。毫無(wú)疑問(wèn),基于MEMS的設計方案將成為未來(lái)氣體傳感器的主要發(fā)展方向之一。
目前,市場(chǎng)上以單晶硅材料為襯底,非硅材料為敏感層的MEMS氣體傳感器最為常見(jiàn),現就市場(chǎng)常見(jiàn)MEMS氣體傳感器類(lèi)型加以介紹:
MEMS電導型氣敏傳感器
這種氣敏傳感器的敏感材料是金屬氧化物半導體或導電聚合物。當這些材料暴露于被測氣體中,氣體會(huì )與它們發(fā)生作用,引起電導率或電阻率的變化,產(chǎn)生包含氣體成分和濃度的電信號,經(jīng)過(guò)信號處理電路處理后,即可識別氣體的成分和濃度。
使用最多的金屬氧化物半導體是二氧化錫,其次是二氧化鈦、氧化鋅等。為提高氣敏傳感器靈敏度和選擇性,往往會(huì )向金屬氧化物中加入催化劑,如鉑、鈀等貴金屬或合適的金屬氧化物。
MEMS金屬氧化物半導體氣敏傳感器采用微電子技術(shù)的成膜工藝在硅襯底上淀積金屬氧化物敏感層,利用敏感層下的電阻做加熱器,利用二極管做測溫元件,必要的信號電路和讀出電路也可以集成在同一硅芯片上。
MEMS微氣體傳感器的制作工藝如圖所示,其特點(diǎn)在于將加熱電極、絕緣層和測試電極一層一層依次堆積疊加在一起。

MEMS固體電解質(zhì)氣敏傳感器
固體電解質(zhì)氣敏傳感器有電流型和電壓型兩種,電流型的靈敏度高,測量范圍大,溫漂小。但它的輸出電流和敏感性能與電極尺寸關(guān)系密切。傳統的燒結體型器件難于控制電極尺寸,因而輸出的電流和敏感性能也難于控制。由于MEMS技術(shù)制作的器件電機尺寸精度高,因而MEMS固體電解質(zhì)電流型氣敏傳感器性能優(yōu)異。
目前基于“三明治”結構的傳感器,可以實(shí)現MEMS工藝的兼容與加工,解決了傳統固體電解質(zhì)式氣體傳感器工藝兼容性差、器件結構復雜等問(wèn)題。

MEMS氣體傳感器的優(yōu)勢在于:
(1)微型化: MEMS器件體積小,一般單個(gè) MEMS傳感器的尺寸以毫米甚至微米為計量單位,重量輕、耗能低。同時(shí)微型化以后的機械部件具有慣性小、諧振頻率高、響應時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)。 MEMS更高的表面體積比(表面積比體積)可以提高表面傳感器的敏感程度。
(2)硅基加工工藝,可兼容傳統 IC生產(chǎn)工藝:硅的強度、硬度和楊氏模量與鐵相當,密度類(lèi)似鋁,熱傳導率接近鉬和鎢,同時(shí)可以很大程度上兼容硅基加工工藝。
(3)批量生產(chǎn):以單個(gè) 5mm×5mm尺寸的 MEMS傳感器為例,用硅微加工工藝在一片 8英寸的硅片晶元上可同時(shí)切割出大約 1000個(gè) MEMS芯片,批量生產(chǎn)可大大降低單個(gè) MEMS的生產(chǎn)成本。
(4)集成化:一般來(lái)說(shuō),單顆 MEMS往往在封裝機械傳感器的同時(shí),還會(huì )集成ASIC芯片,控制 MEMS芯片以及轉換模擬量為數字量輸出。同時(shí)不同的封裝工藝可以把不同功能、不同敏感方向或致動(dòng)方向的多個(gè)傳感器或執行器集成于一體,或形成微傳感器陣列、微執行器陣列,甚至把多種功能的器件集成在一起,形成復雜的微系統。
(5)多學(xué)科交叉: MEMS涉及電子、機械、材料、制造、信息與自動(dòng)控制、物理、化學(xué)和生物等多種學(xué)科,并集約了當今科學(xué)技術(shù)發(fā)展的許多尖端成果。

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