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VSLB3940：Vishay新型高性能3mm紅外發(fā)射器
日前，Vishay宣布推出 3mm (T1) 紅外發(fā)射器 --- VSLB3940，拓展了其光電產(chǎn)品系列，且這些新器件的性能特征與領(lǐng)先的 5mm 發(fā)射器相當。
2009-01-16
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互連：從微米過(guò)渡到納米
良好的系統設計始終需要可靠性高的電纜系統連接到主儀表板，而且通常需要更多的線(xiàn)路數量。在儀器內部，信號、數據處理以及探針的發(fā)辮必須連接到眾多專(zhuān)門(mén)用于執行特定功能的模塊中，而這些模塊也在不斷減小。隨著(zhù)模塊功能的增加，它的內部密度也隨之增加，而模塊的尺寸減小至微米量級。間距1.3mm的微米連接器以及間距0.625mm的納米連接器可以顯著(zhù)降低新系統中互連的體積和重量。
2008-11-27
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FDMA1027/2P853：飛兆半導體最薄MicroFET MOSFET
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027，滿(mǎn)足現今便攜應用的尺寸和功率要求。相比低電壓設計中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項可滿(mǎn)足下一代便攜產(chǎn)品如手機的超薄外形尺寸需求。
2008-11-26
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電壓不足期間支持電信電源的小電容
本設計實(shí)例介紹如何在短暫電壓不足期間使電信設備保持正常工作。一個(gè)隱藏的特性是電源磚能在-36V~-75V輸入范圍內保持工作，甚至在大于-80V的浪涌下也能工作。即便假定每10s出現一次5ms電壓不足，用于充電200mF的電流仍?xún)H約為3mA。比較器觀(guān)察輸入電壓，并且一旦它降至低于37V，開(kāi)關(guān)S1就會(huì )關(guān)閉，而來(lái)自C1的能量向“磚塊”電源放電。
2008-09-29
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TDK開(kāi)發(fā)出1005尺寸移動(dòng)設備用薄膜帶通濾波器
TDK公司宣布開(kāi)發(fā)出一款厚度僅0.3mm的1005尺寸薄膜帶通濾波器。TDK采用了其在HDD磁頭（TDK的主打產(chǎn)品）生產(chǎn)中研發(fā)的薄膜工藝，從而制造出真正低高度 (low-profile)且體積縮小至早期的2012尺寸產(chǎn)品1/12的濾波器。
2008-09-25
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Toko推出范圍在3MHz至5MHz的壓電陶瓷振蕩器
Toko公司推出一款范圍在3MHz至5MHz的壓電陶瓷振蕩器——CRHTC-LT，它包括內置電容，適合微處理器和紅外遙控的兆赫茲(MHz)頻帶。
2008-03-03
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EMIF02-1003M6/EMIF01-1003M3：意法半導體小封裝ESD保護和EMI濾波產(chǎn)品
意法半導體推出兩款在單一超小封裝內整合EMI（濾波和ESD（保護兩大功能的新產(chǎn)品，利用這兩款新產(chǎn)品，系統設計工程師能夠在電路板上0.6平方毫米的面積內同時(shí)實(shí)現 EMI濾波和ESD保護兩種功能。目前為止，市場(chǎng)上實(shí)現單一ESD保護功能的最小產(chǎn)品，也需要在電路板上占用0.6平方毫米的面積。
2008-02-07
- 車(chē)輛區域控制架構關(guān)鍵技術(shù)——趨勢篇
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