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估算電感在開(kāi)關(guān)電源中的功耗
開(kāi)關(guān)電源的功耗是多方面的，包括功率MOSFET損耗、輸入/輸出電容損耗、控制器靜態(tài)功耗以及電感損耗。本文主要討論電感損耗。眾所周知，電感損耗包括兩方面：其一是與磁芯相關(guān)的損耗，即傳統的鐵損；其二是與電感繞組相關(guān)的損耗，即通常所謂的銅損。本文介紹用估算的方法計算電感在開(kāi)關(guān)電源中的功耗。
2008-10-09
功率電感 RDC 趨膚現象 滲透深度
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功率MOSFET驅動(dòng)器提供了車(chē)載照明保護與控制
高壓側前置場(chǎng) FET 驅動(dòng)器和功率 FET 組合被廣泛地用于負載控制，這種組合還可能被應用于那些要求通過(guò)串行總線(xiàn)通信或者并行輸入控制來(lái)實(shí)現負載控制的工業(yè)和商業(yè)應用中。將每一個(gè)功率 FET 與熱相互作用隔離的這種能力，在那些單通道短路或者熱關(guān)閉故障不會(huì )中斷其它負載控制通道功能的情況下是非常有好...
2008-10-09
車(chē)載照明 FET 螺線(xiàn)管負載 浪涌電流
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電源對移動(dòng)電話(huà)開(kāi)關(guān)頻譜的影響
隨著(zhù)移動(dòng)電話(huà)市場(chǎng)的發(fā)展，移動(dòng)電話(huà)已經(jīng)成為目前國內電子制造業(yè)最大的熱點(diǎn)。移動(dòng)電話(huà)是一個(gè)包含數字信號和模擬信號的復雜系統，在移動(dòng)電話(huà)的設計調試和批量生產(chǎn)中，會(huì )碰到各種各樣技術(shù)問(wèn)題。其中常見(jiàn)的問(wèn)題之一是移動(dòng)電話(huà)的開(kāi)關(guān)頻譜不能滿(mǎn)足ETSI標準的要求。在實(shí)際工作中，發(fā)現移動(dòng)電話(huà)使用的電源直...
2008-10-09
電源 移動(dòng)電話(huà) 開(kāi)關(guān)頻譜ETSI
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超級電容提高移動(dòng)電話(huà)的音頻質(zhì)量和電源性能
超級電容填補了電池和普通電容之間的功率空隙，它能提供比電池更高的觸發(fā)功率，并能比普通電容存儲更多的能量。超級電容可以為峰值功率事件提供所需的觸發(fā)功率，然后接受電池的再充電。其好處包括延長(cháng)通話(huà)時(shí)間、延長(cháng)電池壽命、閃光更亮以及音樂(lè )質(zhì)量更佳。設計師還可以藉此節省空間和成本，因為他們...
2008-10-09
超級電容 失真 音樂(lè )手機 功率
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DC-DC變換器的輸入系統不穩定性
目前，許多大型電子設備都趨向于采用直流分布式供電結構，通過(guò)直流總線(xiàn)給多個(gè)DC-DC變換器進(jìn)行供電，而變換器的輸出則直接供給各個(gè)負載。但是，利用DC-DC變換器來(lái)構建分布式供電系統有一些關(guān)鍵問(wèn)題需要解決，如輸入系統不穩定性問(wèn)題。如果措施不當，將損壞變換器甚至負載，造成巨大損失。
2008-10-09
分布式供電系統 DC-DC變換器 輸入系統不穩定性 ESR
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納米鋰電池技術(shù)剖析
可攜式電子產(chǎn)品對電池輕、薄、短、小與高容量的需求越來(lái)越高，而先進(jìn)的納米科技在此一趨勢下扮演了重要角色，採用納米材料的鋰電池技術(shù)可達到高容量、高功率、高安全性的效果，在未來(lái)的市場(chǎng)應用上具備深厚潛力；本文將介紹目前納米級鋰電池材料與納米級鋰電池應用之開(kāi)發(fā)進(jìn)展現況，為讀者深入剖析此...
2008-10-09
納米科技 鋰電池 負極材料 3G
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MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能
一個(gè)采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿(mǎn)足負載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應要求。
2008-10-09
MOSFET DirectFET VRM 整流器
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理解精密比較器特殊的工作特性
本文重點(diǎn)介紹了精密比較器(比如LMP7300)如何能利用外部反饋電阻產(chǎn)生滯后效應，來(lái)克服現有比較器中常見(jiàn)的門(mén)限和滯后交互問(wèn)題。
2008-10-08
比較器 門(mén)限 滯后 精密
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組合電源系統可靠性的計算方法
給出了組合電源系統的可靠性模型和可靠性的計算方法，總結了蓄電池對組合電源系統可靠性的影響。
2008-10-08
組合電源系統 蓄電池 可靠性 MTBF
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