【導讀】源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來(lái)衡量關(guān)斷開(kāi)關(guān)后，源極信號耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器（如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器或MOSFET繼電器）中常見(jiàn)的規格參數，在固態(tài)繼電器數據手冊中通常稱(chēng)為輸出電容COUT。CMOS開(kāi)關(guān)通常不包含此規格參數，但關(guān)斷隔離度是表征相同現象的另一種方法，關(guān)斷隔離度定義為，開(kāi)關(guān)關(guān)斷狀態(tài)下，耦合到漏極的源極的信號量。本文將討論如何從關(guān)斷隔離度推導出COUT，以及如何通過(guò)它來(lái)更有效地比較固態(tài)繼電器和CMOS開(kāi)關(guān)的性能。這一點(diǎn)很重要，因為CMOS開(kāi)關(guān)適合許多使用固態(tài)繼電器的應用，例如切換直流信號和高速交流信號。
如何從關(guān)斷隔離度導出 CDS(OFF)
圖1顯示 ADG5412的關(guān)斷隔離度與頻率的典型性能圖。該圖顯示，當源極上的信號頻率上升時(shí)，關(guān)斷隔離度降低。
圖1.ADG5412關(guān)斷隔離度與頻率的關(guān)系（±15 V雙電源）。
這意味著(zhù)，隨著(zhù)信號頻率增加，源極上有更多信號會(huì )出現在關(guān)斷開(kāi)關(guān)的漏極。如果您觀(guān)察開(kāi)關(guān)的等效電路在關(guān)斷狀態(tài)下的表現，如圖2中的測試電路所示，會(huì )發(fā)現這種狀況不足為奇。當開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，源極和漏極之間存在寄生電容，即圖中的CDS(OFF)。這種寄生電容使高頻信號能夠通過(guò)，關(guān)斷隔離圖就是為了確定這些特征。
圖2.關(guān)斷隔離度測量測試電路。
我們從圖2所示的測試電路中獲取VS和VOUT，然后將它們代入以下公式中，以計算關(guān)斷隔離度：
將從關(guān)斷隔離圖中得到的結果應用到開(kāi)路開(kāi)關(guān)的等效電路中，可計算得出CMOS開(kāi)關(guān)的CDS(OFF)。首先，如果考慮關(guān)斷開(kāi)關(guān)通道和負載，我們可以將電路視為高通濾波器，如圖3所示。
圖3.CDS(OFF)和RL高通濾波器。
所示電路的轉換函數可以通過(guò)以下公式計算得出：
接下來(lái)，考慮源電壓VS及其阻抗，如圖2所示。源阻抗RS為50 Ω，與50 Ω負載阻抗RL匹配。假設在理想情況下，CDS(OFF)短路，那么在阻抗相等時(shí)，VS為VIN的2倍。這意味著(zhù)，當根據VS計算轉換函數時(shí)，整個(gè)轉換函數會(huì )翻倍。
所以，整個(gè)系統的轉換函數為：
然后，可以將這個(gè)轉換函數代入關(guān)斷隔離度公式，得出：
然后，重新變換該公式，求解CDS(OFF)的值：
這意味著(zhù)，如果知道RL、輸入信號的頻率f，以及關(guān)斷隔離規格值(dB)，就可以計算出CDS(OFF)。這些值可以在A(yíng)DI公司產(chǎn)品系列中的開(kāi)關(guān)或多路復用器產(chǎn)品的數據手冊中找到。以下示例將展示其執行步驟。
CDS(OFF)計算示例
本例使用受SPI控制的4路SPST開(kāi)關(guān) ADGS1612。ADGS1612的關(guān)斷隔離規格為?65 dB，可以在數據手冊中的表1中找到。根據關(guān)斷隔離規格的測試條件部分，RL為50 ?，信號頻率f為100 kHz。將這些值代入CDS(OFF)公式，可以計算得出電容值。
注意，在開(kāi)關(guān)與多路復用器的關(guān)斷隔離測量電路中，在開(kāi)關(guān)通道的源極引腳之前，可能包含一個(gè)額外的50 ?端接電阻，如圖4所示。采用以這種方式測量得出的關(guān)斷隔離規格，仍然可以使用CDS(OFF)公式進(jìn)行計算。但是，如果源極引腳使用50 Ω端接電阻（隨后用于CDS(OFF)公式中），需要在數據手冊給出的關(guān)斷隔離規格的基礎上加上6 dB。這是為了進(jìn)行補償，因為源極的50 ?端接電阻會(huì )使電壓減半，相當于?6 dB。
圖4.源極上具有50 ?端接電阻的關(guān)斷隔離度測試電路。
CMOS開(kāi)關(guān)與固態(tài)繼電器的關(guān)系
表1顯示從ADI公司產(chǎn)品系列中選擇的開(kāi)關(guān)產(chǎn)品的CDS(OFF)值。 ADG54xx 和 ADG52xx 系列可以處理擺幅高達44 V的信號電壓， ADG14xx 和 ADG12xx 系列可以傳輸擺幅高達33 V的信號電壓。這種可比較信號的范圍為30 V至40 V固態(tài)繼電器。表中的最后一列還顯示了如何使用CDS(OFF)和開(kāi)關(guān)導通電阻來(lái)計算RON、CDS(OFF)乘積，在固態(tài)繼電器中，它被用作等第值(order of merit)。RON、CDS(OFF)乘積顯示在開(kāi)關(guān)開(kāi)啟時(shí)，對信號的衰減影響非常小，以及開(kāi)關(guān)在關(guān)斷時(shí)，阻截高速信號的作用有多強。該表顯示 ADG1412 的RON、COFF乘積小于5，在市面上的固態(tài)繼電器中，這一點(diǎn)相當有優(yōu)勢。
表1.在A(yíng)DI公司產(chǎn)品系列中選擇SPST × 4開(kāi)關(guān)的 CDS(OFF)
與固態(tài)繼電器相比，CMOS開(kāi)關(guān)具有多項優(yōu)勢。具體包括：
● 更易于驅動(dòng)開(kāi)關(guān)邏輯
ADI公司大部分CMOS開(kāi)關(guān)的典型數字輸入電流為1 nA，而固態(tài)繼電器中二極管的推薦正向電流為5 mA。這意味著(zhù)，CMOS開(kāi)關(guān)易于直接被微控制器上的GPIO控制。
● 更快的開(kāi)關(guān)速度
ADG1412的典型開(kāi)啟時(shí)間為100 ns，固態(tài)繼電器的開(kāi)啟時(shí)間為幾百毫秒。
● 單個(gè)封裝內集成更多開(kāi)關(guān)
例如， ADGS1414D 采用5 mm × 4 mm封裝，具有8個(gè)開(kāi)關(guān)通道、1.5 ?導通電阻和5 pF CDS(OFF)。也就是說(shuō)，每2.5 mm2封裝面積內一個(gè)開(kāi)關(guān)。
結論
開(kāi)關(guān)在關(guān)斷狀態(tài)下阻截信號的能力至關(guān)重要。在固態(tài)繼電器中，COFF規格用于衡量開(kāi)關(guān)兩端的電容，它允許輸入信號耦合到關(guān)斷開(kāi)關(guān)的輸出。在CMOS開(kāi)關(guān)中，不會(huì )直接測量此電容；但是，可以通過(guò)關(guān)斷隔離度規格來(lái)推算此電容。通過(guò)推導開(kāi)路開(kāi)關(guān)的轉換函數，可以使用關(guān)斷隔離度值(dB)、輸入信號的頻率和負載電阻來(lái)確定CDS(OFF)。在比較CMOS開(kāi)關(guān)和固態(tài)繼電器的COUT規格時(shí)，CDS(OFF)是一個(gè)重要值。此外，CDS(OFF)還可用于計算RON、CDS(OFF)乘積，這是一個(gè)等第值，用于顯示開(kāi)關(guān)的整體關(guān)斷隔離和信號丟失性能。這樣針對應用選擇開(kāi)關(guān)時(shí)，就可以更直觀(guān)對CMOS開(kāi)關(guān)和固態(tài)繼電器進(jìn)行比較選擇。相比固態(tài)繼電器，CMOS開(kāi)關(guān)也有諸多優(yōu)勢，例如，更易于驅動(dòng)開(kāi)關(guān)邏輯、更快的開(kāi)關(guān)速度，以及能夠在封裝中集成更多開(kāi)關(guān)。
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