【導讀】一提到隔離型驅動(dòng)，不少硬件研發(fā)工程師就會(huì )先入為主想到光耦?？晒怦钫娴氖俏ㄒ贿x擇嗎？伴隨著(zhù)全球電氣化和數字化的趨勢，電力電子技術(shù)的發(fā)展也日新月異：功率器件開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)一步提高，寬禁帶器件使用方興未艾，終端應用環(huán)境更加復雜惡劣，這些都對隔離型驅動(dòng)的性能和可靠性提出了全新的挑戰。
而英飛凌隔離型驅動(dòng)的超強性能正好滿(mǎn)足了這些挑戰：
無(wú)磁芯變壓器隔離技術(shù)
基于磁耦合的電氣隔離技術(shù)，利用半導體制造工藝，集成由金屬線(xiàn)圈結構和氧化硅絕緣介質(zhì)組成的無(wú)磁芯平面變壓器，用來(lái)傳送輸入側與輸出側之間的開(kāi)關(guān)指令和其它信號。信號以電流變化的形式進(jìn)行傳遞，抗dv/dt干擾能力強，非常適合高速開(kāi)關(guān)器件。磁隔離技術(shù)隨著(zhù)使用時(shí)間的增加，沒(méi)有類(lèi)似光耦的光衰問(wèn)題，穩定性更好。
更高的工作電壓
英飛凌隔離型驅動(dòng)可適用于600V/650V/1200V/1700V/2300V開(kāi)關(guān)器件。而光耦工作電壓一般為1700V以?xún)取?/p>
更大的輸出電流
英飛凌隔離型驅動(dòng)電流高達14A（峰值典型值），特別適用于單管MOSFET/IGBT并聯(lián)或者大功率模塊，無(wú)需外接推挽放大電路，設計簡(jiǎn)單且性?xún)r(jià)比高。而光耦驅動(dòng)電流一般為10A（峰值典型值）以?xún)取?/p>
更高的副邊電源電壓差
英飛凌隔離型驅動(dòng)副邊電源電壓差高達40V，特別適用于負壓驅動(dòng)的IGBT或者CoolSiC?，提供了足夠的電壓安全裕量。而光耦驅動(dòng)副邊電源電壓差為35V。
更高的工作結溫
英飛凌隔離型驅動(dòng)工作結溫高達150℃，可完美輔配功率器件最高工作結溫150/175℃。而光耦工作結溫一般125℃，并且高溫時(shí)參數溫漂（如傳輸延時(shí)等）高于英飛凌隔離型驅動(dòng)，限制了系統在高溫環(huán)境下的應用。
更小的傳輸延時(shí)
英飛凌隔離型驅動(dòng)傳輸延時(shí)低至100ns以?xún)?，芯片之間傳輸延時(shí)匹配度7ns以?xún)?，能?shí)現更小的死區時(shí)間，特別適用于高頻應用，也是英飛凌CoolSiC?和CoolGaN?的最佳搭檔。而光耦傳輸延時(shí)一般為200ns以?xún)?，光耦之間傳輸延時(shí)匹配一般為100ns以?xún)取?/p>
更高的共模瞬變抗擾度
英飛凌隔離型驅動(dòng)共模瞬變抗擾度高達200kV/μs以上，特別適用于快速開(kāi)關(guān)應用，能輕松駕馭更高的dv/dt，提高了系統可靠性。而光耦共模瞬變抗擾度一般為100kV/μs以?xún)取?/p>
更高的可靠性
英飛凌全新的隔離型驅動(dòng)參照VDE 0884-11標準，而光耦參照IEC 60747-5-5/VDE 0884-5標準。針對磁隔離技術(shù)的VDE 0884-11標準測試更為嚴苛，安全裕量更大，更標配了使用壽命模型（20年以上）和額外的安全系數。
更豐富的功能
電壓變化率控制(SRC：Slew Rate Control)兼顧效率和EMI；參數可配置，如欠壓保護閾值調整適配CoolSiC?、軟關(guān)斷電流多級可調、溫度監控與保護等等。
通過(guò)上述的分析對比，英飛凌隔離型驅動(dòng)在芯片技術(shù)、工作電壓、輸出電流、副邊電源電壓、工作結溫、傳輸延時(shí)、共模瞬變抗擾度、可靠性、功能性等方面，相對光耦都有明顯的優(yōu)勢，是高性能高可靠性隔離型驅動(dòng)的最佳選擇。英飛凌隔離型驅動(dòng)產(chǎn)品系列如下所示，如需技術(shù)或者產(chǎn)品支持，請與英飛凌銷(xiāo)售人員或分銷(xiāo)商聯(lián)系。
文章來(lái)源： 英飛凌工業(yè)半導體
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