我們將以使用了 TI 電源管理產(chǎn)品的一個(gè)電源管理參考設計為例來(lái)提供對這些論述的支持。

能量之源:大型旁路去耦電容

處理器所使用的全部電流除了由電源本身提供以外，處理器旁路和一些電源的大型電容也是提供電流的重要來(lái)源。當處理器的任務(wù)級別(level of activity)急劇變化而出現陡峭的負載瞬態(tài)時(shí)，首先由一些本地旁路電容提供瞬時(shí)電流——這種電容通常為小型陶瓷電容，其可以對負載的變化快速響應。隨著(zhù)處理速度的增加，對于更多能量存儲旁路電容的需求變得更為重要。另一個(gè)能量來(lái)源是電源的大型電容。為了避免出現穩定性問(wèn)題，必須注意一定要確保電源的穩定性，并且可以利用添加的旁路電容正確地啟動(dòng)。因此，我們要保證對電源反饋回路的補償以適應額外的旁路電容。電源評估板 (EVM) 在試驗臺上可能非常有效，但在負載附近添加了許多旁路電容的情況下其性能可能會(huì )發(fā)生變化。

作為一個(gè)經(jīng)驗法則，我們可以通過(guò)盡可能近的在處理器功率引腳處放置多個(gè)0603或0402電容(60用于內核電壓，而30用于DM6443的I/O電壓)，從而將DaVinci電源電壓從系統噪聲中完全去耦。更小型的0402電容是較好的選擇，因為其寄生電感較低。較小的電容值(例如，560pF)應該最為接近功率引腳，其距離僅為1.25cm。其次，最為接近功率引腳的是中型旁路電容(例如，220nF)。建議每個(gè)電源至少要使用8個(gè)小型電容和8個(gè)中型電容，并且應緊挨著(zhù)BGA過(guò)孔安裝(占用內部BGA空間，或者至少應在外部角落處)。在更遠一點(diǎn)的地方，可以安裝一些較大的大型電容，但也應該盡可能地靠近處理器。

浪涌電流

具有大旁路電容的電源存在啟動(dòng)問(wèn)題，因為電源可能無(wú)法對旁路電容充電，而其正是啟動(dòng)期間滿(mǎn)足處理器要求所需要的。因此，在啟動(dòng)期間，過(guò)電流可能會(huì )引起電源的關(guān)斷，或者電壓可能會(huì )暫時(shí)地下降(變?yōu)榉菃握{狀態(tài))。一個(gè)很好的設計實(shí)踐是確保電壓在啟動(dòng)期間不發(fā)生壓降、過(guò)沖或承受長(cháng)時(shí)間的高壓狀態(tài)。為了減少浪涌電流，可以通過(guò)增加內核電壓電源的啟動(dòng)時(shí)間，來(lái)允許旁路電容緩慢地充電。許多DC/DC調節器都具有獨特的可調軟啟動(dòng)引腳，以延長(cháng)電壓斜坡時(shí)間。如果調節器不具有這種軟啟動(dòng)引腳，那么我們可以利用一個(gè)外部 MOSFET 以及一種RC充電方案，來(lái)從外部對其進(jìn)行實(shí)施。我們還推薦使用一種帶有電流限制功能的DC/DC調節器，來(lái)幫助維持一種單調的電壓斜坡。實(shí)施一個(gè)軟啟動(dòng)方案有助于滿(mǎn)足DaVinci處理器的排序要求。

排序

越來(lái)越多的處理器廠(chǎng)商將提供推薦的內核及I/O上電排序的時(shí)序準則。一旦獲知時(shí)序要求，POL電源設計人員便可選擇一種適當的技術(shù)。對一個(gè)雙路電源上電和斷電的方法有很多種：順序排序和同時(shí)排序是最為常用的兩種方法。

當在內核和I/O上電之間要求一個(gè)較短的毫秒級時(shí)間間隔時(shí)，我們就可以實(shí)施順序排序。實(shí)施順序排序的一種方法是，只需將一個(gè)穩壓器的 PWERGOOD引腳連接至另一個(gè)穩壓器的ENABLE引腳即可。當內核和I/O電壓差在上電和斷電期間需要被最小化時(shí)，就需要使用同時(shí)排序。要實(shí)施同時(shí)排序，內核和I/O電壓應彼此緊密地跟蹤，直到達到較低的理想電壓電平。在這一點(diǎn)上，較低的內核電壓達到了其設定值要求，而較高的I/O電壓將可以繼續上升至其設定值。

在自升壓模式中，DaVinci處理器要求對CVDD和CVDDDSP內核電源進(jìn)行同時(shí)排序。在主機升壓模式中，CVDD 必須斜坡上升，并在CVDDSP開(kāi)始斜坡上升以前達到其設置值(1.2V)。作為一個(gè)最大值，CVDDDSP 電源必須在關(guān)閉(開(kāi)啟)“始終開(kāi)啟”和DSP域之間的短路開(kāi)關(guān)以前上電。我們可以以任何順序啟動(dòng)I/O電源(DVDD18、DVDDR2和DVDD33)，但是必須在CVDD電源100ms的同時(shí)達到其設定值。

穩壓精度

電源系統的電壓容差有幾個(gè)影響因素。電壓基準精度就是最為重要的一個(gè)影響因素，我們可以在電源管理器件的產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)中找到其規范。新型穩壓器要求達到±1%的精度或更高的溫度基準精度。一些成本較低的穩壓器可能會(huì )要求±2%或±3%的基準電壓精度。請在產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)中查看穩壓器廠(chǎng)商的相關(guān)規范，以確保穩壓精度可以滿(mǎn)足處理器的要求。另一個(gè)影響穩壓精度的因素是穩壓器外部反饋電阻的容差。

在要求精確容差值的情況下，我們推薦使用±1%的容差電阻。另外，在將這種電阻用于編程輸出電壓時(shí)，其將會(huì )提供額外±0.5%的精度。具體的計算公式如下：
　　
輸出電壓精度=2×(1-VREF/VOUT)×TOLRES
　　
第三個(gè)影響因素是輸出紋波電壓。一個(gè)卓越的設計實(shí)踐是針對低于1%輸出電壓的峰至峰輸出電壓進(jìn)行設計，其可使電源系統的電壓精度提高±0.5%。假設為±2%基準精度，那么這3個(gè)影響因素加在一起則為±3%的電源系統精度。
　　
DaVinci CVDD電源要求一個(gè)可帶來(lái)±4.2%精度的50mV容差的1.2V典型內核電源。3.3V DVDD電源具有一個(gè)可帶來(lái)±4.5%精度的150mV的容差，而1.8V DVDD電源則具有一個(gè)可帶來(lái)±5%精度的90mV的容差。使穩壓器靠近負載來(lái)減少路由損耗是非常重要的。需要注意的是，如果電源具有3%的容差，且處理器內核電壓要求具有4.2%容差的情況下，我們就必須對去耦網(wǎng)絡(luò )進(jìn)行設計，以能夠適應1.2V電壓軌的1.2%精度或14mV容差。
　　
歷史經(jīng)驗數據顯示，內核電壓隨著(zhù)處理技術(shù)的發(fā)展而不斷降低。對內核電壓稍作改變，便可提供更高的性能，或節省更多的電量。選擇一個(gè)具有可編程輸出電壓和±3% 以上輸出電壓容差的穩壓器是一種較好的設計方法。相比從零開(kāi)始重新設計一種全新的電源，簡(jiǎn)單的電阻器變化或引腳重新配置要容易得多。因此，我們要選擇一款可以支持低至0.9V或更低輸出電壓的穩壓器，以能夠最大化地重用，并幫助簡(jiǎn)化TI片上系統(SoC)器件未來(lái)版本的使用。

一旦充分了解了去耦、排序和容差要求以后，為DaVinci處理器設計一款電源解決方案就變得非常簡(jiǎn)單明了。在為所有高性能處理器設計電源時(shí)，堅持使用上述技術(shù)是一個(gè)相當不錯的設計實(shí)踐。