中心議題：

• 制造商努力設計MOSFET的雙芯片功率封裝的原因
• PowerPAIR封裝類(lèi)型
• 低邊MOSFET的導通電阻是器件的關(guān)鍵特性

解決方案：

• 采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的雙芯片不對稱(chēng)功率封裝

目前，電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是，隨著(zhù)功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來(lái)越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過(guò)在更小尺寸的封裝內采用更高性能的MOSFET，業(yè)內的一個(gè)趨勢是從SO-8等標準引線(xiàn)封裝向帶有底面漏極焊盤(pán)的功率封裝轉變。對于大電流應用，常用的是功率6mm x 5mm封裝，例如PowerPAK® SO-8。但對于電流較小的應用，發(fā)展趨勢是向PowerPAK 1212-8這樣的3mm x 3mm功率封裝轉變。 在這類(lèi)封裝中，RDS(on)  已經(jīng)足夠低，使得這類(lèi)芯片可以廣泛用于筆記本電腦中的10A DC-DC應用。 
     
雖然3mm x 3mm功率封裝已經(jīng)使DC-DC電路使用的空間大幅減少，還是有機會(huì )能夠把所用的空間再減少一點(diǎn)，以及提高功率密度。實(shí)現這個(gè)目的的辦法之一是用組合了兩個(gè)器件的封裝替代分立的單片MOSFET。SO-8雙芯片功率MOSFET已經(jīng)使用了很長(cháng)時(shí)間，但是通常只能處理5A以下的負載電流，這對上網(wǎng)本和筆記本電腦中的5V和3.3V電源軌是完全沒(méi)問(wèn)題的，但對負載電流為10A或更高的系統來(lái)說(shuō)顯然是太低了。
 

圖1
 

這就是為什么制造商努力設計MOSFET的雙芯片功率封裝的原因，因為這樣就能大大提高可能的最大電流，而且熱性能也比傳統的表面貼裝封裝要好。利用這種功率封裝的基本原理，把兩片分開(kāi)的芯片裝進(jìn)一個(gè)封裝，這種器件就能減少電源電路所需的面積。 
    
PowerPAIR就是這樣的一種封裝類(lèi)型，這種封裝的外形尺寸比單片功率6 x 5封裝 (PowerPAK SO-8)小，最大電流可以達到15A。在筆記本電腦中，一般象這么大的負載電流都會(huì )采用兩個(gè)功率6 x 5封裝，算上導線(xiàn)和打標簽的面積，以及兩個(gè)器件的位置擺放，占用的面積超過(guò)60mm2。這種雙芯片功率封裝的尺寸是6.0mm x 3.7mm ，在電路板上占用的面積為22mm2。能把電路板空間減少63%對電源工程師是很有幫助的，因為他們給電源電路設計的空間是越來(lái)越少了。用傳統的SO-8雙芯片功率型封裝，是沒(méi)法取得這么大的好處的。 
    
與兩個(gè)6 x 5功率封裝或兩個(gè)SO-8封裝相比，這種器件不但能節省空間，而且能簡(jiǎn)化設計，比兩個(gè)3 x 3功率封裝還能再節省點(diǎn)空間。雙芯片功率封裝很容易用一個(gè)器件替換兩個(gè)3x3封裝,甚至還能在PCB上再省出布線(xiàn)和打標示的空間,如圖1所示。因此對5A~15A的DC-DC應用,用這種器件是很合理的設計步驟,也是提高功率密度的方式之一 。 
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PowerPAIR雙芯片功率封裝使用了一種類(lèi)似DC-DC降壓轉換器的非對稱(chēng)結構，使優(yōu)化的高邊和低邊器件占用相同的封裝。如圖2所示，低邊 MOSFET的導通電阻比高邊 MOSFET的低，這會(huì )導致焊盤(pán)區的大小不一致。
 

 
圖 2 

     
事實(shí)上，低邊MOSFET的導通電阻是器件的關(guān)鍵特性。即使封裝尺寸變小了，還是有可能在最高4.5V電壓下把RDS(on)   降到5mΩ以下。這有助于提高在最大負載條件下的效率，還能讓器件工作起來(lái)的溫度更低，即便尺寸很小。.
    
這種器件的另一個(gè)好處是布線(xiàn)。從圖2中可以看到，封裝的引腳使其能很容易地集成進(jìn)降壓轉換器設計方案中。更特殊之處在于，器件的輸入是在一側，輸出在另一側。引腳2和3與DC-DC電路的VIN相對應，是高邊MOSFET的漏極。小焊盤(pán)也是高邊元器件的漏極焊盤(pán)。較大的焊盤(pán)是電路的開(kāi)關(guān)節點(diǎn)的焊盤(pán)更大，在這個(gè)地方，高邊MOSFET的源極合低邊MOSFET的漏極在內部連到器件上。這個(gè)節點(diǎn)會(huì )連到電感器。最后，接地是引腳4和5，是低邊MOSFET的源極。引腳1和6 分別連到高邊和低邊MOSFET的柵極。這種布線(xiàn)很簡(jiǎn)單，而且減少了用兩個(gè)器件時(shí)發(fā)生布線(xiàn)錯誤的幾率。把多個(gè)器件組合在一起時(shí)需要額外的PCB走線(xiàn)，這種布線(xiàn)還能減少與此種PCB走線(xiàn)相關(guān)的寄生電感:

改用較小外形尺寸雙芯片功率封裝的最后一個(gè)好處是能夠實(shí)現的效率可以幫助提高功率密度。器件安裝在單相降壓轉換器評估板上，條件如下。
 
VIN = 12 V, VOUT = 1.05 V, VDRIVE = 5.0V, fsw = 300 kHz, IOUT max. = 15 A 
 
效率是在整個(gè)功率范圍內測量的。在15A電流下，效率是87%，器件的外殼溫度恰好低于70 °C。峰值效率高于91.5 %。這樣的性能有助于在醫療系統中減少功率損耗，節約能量，而且還能實(shí)現小外形尺寸的設計。
 

 
圖 3

 
采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的雙芯片不對稱(chēng)功率封裝是MOSFET封裝技術(shù)上的重大進(jìn)步。這種封裝使工程師能夠改善電源的性能，縮小體積，以及簡(jiǎn)化設計，同時(shí)實(shí)現現在的消費電子產(chǎn)品所要求的高效率或性能。