中心議題：
- 電源的基本方案
- 開(kāi)關(guān)電源部分的設計要點(diǎn)
- 電壓斬波控制
1 引言
在我國，電鍍行業(yè)發(fā)展較快，隨著(zhù)市場(chǎng)對電鍍產(chǎn)品質(zhì)量要求的提高，電鍍工藝對電鍍電源的要求也越來(lái)越高。開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品由于其具有體積小，重量輕，節能節材，調節精度高，易于控制等諸多優(yōu)點(diǎn)，正逐漸被廣大用戶(hù)所采用。脈沖開(kāi)關(guān)電源作為開(kāi)關(guān)電源衍生產(chǎn)品，其應用于電鍍與直流電鍍相比有如下特點(diǎn):
脈沖電源可通過(guò)控制輸出電壓的波形、頻率和占空比及平均電流密度等參數，改變金屬離子的電沉積過(guò)程，使電沉積過(guò)程在很寬的范圍內變化，從而在某種鍍液中獲得具有一定特性的鍍層。脈沖鍍鎳代替直流鍍鎳可獲得結晶細致的鍍層，能使鎳層的孔隙率與內應力降低，硬度增高，雜質(zhì)含量降低，并可采用更高的電流密度，提高鍍覆速度〖1〗。
根據脈沖鍍鎳的工藝，我們研制了最大峰值電流1000A，最大峰值電壓30V的脈沖鍍鎳開(kāi)關(guān)電源。其工藝如下:
* 硫酸鎳(NiSO4·7H2O)：180～240g/L
* 硫酸鎂(MgSO4·7H2O)：20～30g/L
* 氯化鈉（NaCl）：10～20g/L
* 硼酸：30～40
* PH值：5.4
* 溫度：室溫
* 波形：矩形波
* 頻率：500～1500Hz
* 占空比：5％～12％
* 平均電流密度(A/dm2)：0.7
2 電源的基本方案
三相380V/50Hz交流電經(jīng)過(guò)EMI電磁兼容裝置，進(jìn)行橋式整流，再經(jīng)過(guò)逆變和變壓，然后再整流、濾波、儲能，最后進(jìn)行電壓斬波，輸出單向脈沖電壓。本電源設計分兩部分：前級的開(kāi)關(guān)電源和后級的斬波。脈沖電源電路工作原理框圖如圖1所示。
脈沖電源電路工作原理框圖
圖1脈沖電源電路工作原理框圖
3 開(kāi)關(guān)電源部分的設計要點(diǎn)
3.1開(kāi)關(guān)電源部分原理
主電路由EMI電磁兼容裝置、整流電路、逆變電路、高頻變壓器、高頻整流及高頻濾波電路組成;控制電路由電流、電壓雙閉環(huán)組成，電流環(huán)為內環(huán)，電壓環(huán)為外環(huán)；保護電路設置有初級最大電流限制，輸出過(guò)流、短路保護，最高輸出電壓限制。
3.2基本要求
脈沖開(kāi)關(guān)電源除應具有一般電源的要求外，還要求短時(shí)輸出功率大，動(dòng)態(tài)特性好，效率高，并在大功率脈沖輸出情況下能穩定可靠地工作。
3.3開(kāi)關(guān)電源的設計
（1）高頻化該電源輸出最大平均容量為峰值電流1000A，電壓30V，占空比10％，即3kW?；趯γ}沖開(kāi)關(guān)電源的實(shí)際要求，宜采用高頻技術(shù)方案，同時(shí)選取全橋逆變的拓撲形式，提高頻率是實(shí)現小型化的重要途徑，它能減少功率變壓器的體積和濾波電感量，而輸出電感是影響動(dòng)態(tài)響應的重要因素。高頻化還是改善動(dòng)態(tài)響應的重要措施，電源調整的速度隨頻率提高而加快。從而達到迅速穩壓的目的。
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（2）容量小型化由于占空比D較小，例如:D=0.1，
則峰值電流將為平均電流的十倍。若按峰值電流設計則不難實(shí)現，但電源體積龐大，不經(jīng)濟。若按平均電流設計，則對電源要求十分苛刻，既要求電源小型可靠，又要求電源在負載突變的過(guò)程中不能產(chǎn)生過(guò)大的壓降。對于供電電壓為2～30Vd.c.，峰值電流IP=1000A，D=0.05～0.1，需平均電流ICP=50A～100A的開(kāi)關(guān)電源，若按照平均電流來(lái)設計，則有以下難題：
①電源在毫秒級時(shí)間內突然加上十倍平均電流時(shí)將會(huì )發(fā)生過(guò)流保護；
②電源在毫秒級時(shí)間內提供不了峰值電流時(shí)將會(huì )發(fā)生輸出跳變，即突降過(guò)程〖2〗。
本裝置采用1.5倍平均電流設計，保證開(kāi)關(guān)電源有足夠的裕量，同時(shí)，適當增加電源的能量供給能力。
（3）高的電壓反饋增益電源應有足夠高的電壓反饋，提高電源的動(dòng)態(tài)特性，保證脈沖輸出電壓的平穩。
（4）增大開(kāi)關(guān)電源輸出電壓保持能力問(wèn)題
由于電源工作在大脈沖電流條件下，電源至少要經(jīng)過(guò)若干個(gè)周期的調整才能穩定過(guò)來(lái)，并要耐受沖擊電流而不至于保護動(dòng)作，為了減小沖擊帶來(lái)的異常（尖峰，下降等），宜在負載端設置儲能電容。
設計方法如下：
電容中儲存的能量為：
EC=0.5C0U2
在輸出峰值功率P0P作用下，開(kāi)關(guān)電源輸出功率為PO1時(shí)，維持輸出方波寬度TON，輸出電壓變化ΔU=U1－U2，電容儲存的能量如下式所示：
0.5C0(U12－U22)=(P0P－PO1)×TON
由上式求得儲能電容C0:
C0={2(P0P－PO1)×TON}/(U12－U22)
同時(shí)，儲能電容必須選用ESR小，高頻性能好的電解電容。
（5）加入逆變橋的過(guò)流限制鑒于開(kāi)關(guān)電源輸出電容量特別大，開(kāi)機瞬間和脈沖輸出時(shí)，逆變橋需要承受特別大的沖擊電流，當逆變橋加入單周期過(guò)流限制后，能夠有效地保證逆變橋的功率器件不會(huì )超過(guò)設計電流值，而大大提高了開(kāi)關(guān)電源的可靠性。
4 電壓斬波控制
4.1設計思路
以SG3525PWM 芯片為核心進(jìn)行控制系統的設計。通過(guò)用CD4017B芯片進(jìn)行8分頻，對輸出最大占空比進(jìn)行限制。主電路采用場(chǎng)效應管并聯(lián)。電壓斬波控制原理圖如圖2所示。
電壓斬波控制原理圖
圖2電壓斬波控制原理圖
