產(chǎn)品特性：

• 20V P通道器件
• 采用 SO-8 封裝
• 低至1.9 m?的超低導通電阻
•  通過(guò)Rg 和 UIS 認證，且不含鹵素

應用范圍：

• 筆記本電腦
• 工業(yè)/通用系統

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日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內最低的導通電阻。

新型 Si7137DP具有 1.9 m?（在 10 V 時(shí)）、2.5 m?（在 4.5 V 時(shí)）和 3.9 m?（在 2.5 V 時(shí)）的超低導通電阻。TrenchFET 第三代 MOSFET 的低導通電阻意味著(zhù)更低的傳導損耗，從而確保器件可以比之前市面上 p 通道功率 MOSFET 更低的功耗執行切換任務(wù)。

Si7137DP 將用作適配器開(kāi)關(guān)，用于筆記本電腦及工業(yè)/通用系統中的負載切換應用。適配器開(kāi)關(guān)（在適配器/墻壁電源和電池電源間切換）一直處于導通狀態(tài)，消耗電流。Si7137DP 的低導通電阻能耗低，節省電力并延長(cháng)兩次充電間的電池可用時(shí)間。

對于使用 20V 器件足夠的應用，Si7137DP 令設計人員無(wú)須依賴(lài) 30V 功率 MOSFET，直到最近 30V 功率 MOSFET 才成為具有如此低導通電阻范圍的唯一 p 通道器件。最接近的同類(lèi) 20V p 通道器件具有 12-V 以上的柵極至源極額定值，在 4.5V 柵極驅動(dòng)時(shí)導通電阻為 14 mΩ，且沒(méi)有 10V 柵極至源極電壓的特點(diǎn)。在同類(lèi) 30V 器件中，采用 SO-8 封裝尺寸的最低 p 通道導通電阻在 10V 及 4.5V 時(shí)分別為 3.5 m? 和 6.3 m?，約為 Si7137DP 的一倍。

Vishay 將在 2009 年發(fā)布具有各種額定電壓及封裝選擇的其他 p 通道 TrenchFET 第三代功率 MOSFET。今天發(fā)布的該器件 100% 通過(guò)Rg 和 UIS 認證，且不含鹵素。

目前，新型 Si7137DP TrenchFET 功率 MOSFET 可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。