產(chǎn)品特性：
- 超薄小封裝
- 超低導通電阻
- 最高的柵源電壓分別為 ±5V 、8V
應用范圍：
- 手機、PDA
- 數碼相機、MP3 播放器
- 智能電話(huà)等便攜式設備
日前，為滿(mǎn)足對便攜式設備中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，該器件采用 MICRO FOOT芯片級封裝，具有超薄厚度及最低導通電阻。
Vishay Siliconix Si8441DB具有 0.59mm 的超薄厚度，以及 1.5mm×1mm 的占位面積。這也是在 1.2V 額定電壓時(shí)提供導通電阻的首款此類(lèi)器件。該新器件的典型應用將包括手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器及智能電話(huà)等便攜式設備中的負載開(kāi)關(guān)及電池保護。
該Si8441DB提供了 1.2V VGS時(shí) 0.600? 至 4.5V VGS時(shí) 0.080?的導通電阻范圍，且具有最高 ±5V 的柵源電壓。1.2V 額定電壓時(shí)的低導通電阻降低了對電平位移電路的需求，從而節約了便攜式電子設計中的空間。
日前還推出了采用相同 MICRO FOOT 封裝的 20V p 通道 Si8451DB。Si8451DB的最高額定柵源電源為 8V，其導通電阻范圍介于 1.5V 時(shí) 0.200Ω 至 4.5V 時(shí) 0.080Ω，這是迄今為止具有這些額定電壓的器件所實(shí)現的最佳值。
隨著(zhù)便攜式電子設備的體積越來(lái)越小，以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會(huì )極大減少。為實(shí)現消費者對電池充電間隔間的電池運行時(shí)間的期望，設計人員需要具有低功耗的更小 MOSFET 封裝 — 這恰恰是 Si8441DB及Si8451DB所具有的特點(diǎn)。
目前，這些新型 MICRO FOOT 芯片級功率 MOSFET 的樣品與量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。
