產(chǎn)品特性：
- 600V N溝道MOSFET晶體管
- 導通電阻:0.060歐姆，低損耗
- TO-247封裝
- 最大漏極電流達到51A
- 恢復時(shí)間短
應用范圍：
- 再生能源控制器
- 以能效為中心的應用環(huán)境
意法半導體推出快速恢復MOSFET晶體管新產(chǎn)品系列，用于包括再生能源控制器在內的以能效為中心的應用需求。新產(chǎn)品在現有產(chǎn)品的基礎上提高了開(kāi)關(guān)性能，同時(shí)還使導通電阻實(shí)現超過(guò)18%的降幅。
STW55NM60ND是新的超結FDmesh™ II系列產(chǎn)品的首款產(chǎn)品，這是一款600V N溝道MOSFET晶體管，0.060歐姆的導通電阻在快速恢復MOSFET晶體管市場(chǎng)上創(chuàng )下最低記錄，采用工業(yè)標準的TO-247封裝。由于最大漏極電流達到51A，在對空間有嚴格要求的電信設備和服務(wù)器系統轉換器中，可以用一個(gè)MOSFET晶體管替代多個(gè)標準器件。再加上降低的損耗實(shí)現更高的熱管理效率，新產(chǎn)品讓設計工程師大幅度提高功率密度。
為把這些改進(jìn)的性能變?yōu)楝F實(shí)，ST對FDmesh超結架構進(jìn)行了技術(shù)改進(jìn)，在傳統的帶狀MOSFET結構中融合垂直結構，同時(shí)還內置一個(gè)速度更快、可靠性更強的本征體二極管。除降低導通電阻和恢復時(shí)間外，通過(guò)降低柵電容、柵電荷和柵輸入電阻，這些技術(shù)改良更能提高開(kāi)關(guān)效率，降低驅動(dòng)損耗。在開(kāi)關(guān)期間提高的可靠性，特別是在橋式拓撲中，包括在低負載下的零壓開(kāi)關(guān)（ZVS）結構，使新產(chǎn)品具有很高的dv/dt值。
采用這項技術(shù)的未來(lái)產(chǎn)品還將提供更多的封裝選擇和電流性能，每款封裝都讓快速恢復MOSFET晶體管具有很低的導通電阻。其中，STP30NM60ND采用TO-220封裝，額定漏極電流25A，導通電阻0.13歐姆；STD11NM60ND采用DPAK貼裝封裝，漏極電流10A，導通電阻0.45歐姆；ST的FDmesh II系列產(chǎn)品將不斷推出新產(chǎn)品，以擴大電壓和電流性能的選擇范圍，后續產(chǎn)品將采用業(yè)內標準的功率封裝。
