【導讀】工程師要想保證設計可靠，必須要在NMOS柵極和PMOS柵極添加上拉電阻，同時(shí)系統也要安全防護。但是如果忽略電阻開(kāi)路的問(wèn)題，就會(huì )使原本作為保護者的上拉電阻變成MOS管過(guò)熱的殺手。
下圖是一張在設計應用中比較常見(jiàn)的圖紙，分別針對PMOS和NMOS柵極設置進(jìn)行了區分。就讓我們來(lái)看一下，在MOS圖紙設計中應該怎么避免上拉電阻成為MOS管過(guò)熱的殺手吧。
圖1
大家都知道上拉電阻在電路工作穩定性方面，具有出色的工作效果。像上圖中電路圖的情況，上拉電阻的位置還是接在內側比較好。這樣的設計可以使上拉電阻起到放電作用，可防止在驅動(dòng)電阻開(kāi)路時(shí)MOS柵極浮接，這也就是為什么上拉電阻有時(shí)候又被叫做放電電阻。而同樣是這張電路圖，如果上拉電阻的位置被安排在外側，那么只要兩個(gè)電阻中的一個(gè)開(kāi)路，那么NMOS就容易遭到損壞，對整體的電路穩定性和安全性也會(huì )造成比較大的威脅。
可能看到這里，有的朋友會(huì )感到疑惑：上拉電阻能夠對電路的整體穩定性起到保障作用，放在外側跟放在內側都是起整體穩定效果的，為什么放外側時(shí)反而MOS管容易遭到損壞呢?其實(shí)原因很簡(jiǎn)單，MOS管G極在懸空時(shí)是很容易受到干擾的。此時(shí)如果將上拉電阻放在外側然后導通，就很可能會(huì )產(chǎn)生極大的電流，MOS管在高電流下很容易因過(guò)流過(guò)熱而受到損壞。
編者按：依據上拉電阻的放電特性進(jìn)行設置，可以保護MOS管的正常工作，并維持電路的整體穩定性。在進(jìn)行圖紙設計時(shí)，工程師需要結合實(shí)際情況和電阻的特性，進(jìn)行合理分配設置。
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