為努力實(shí)現更高的功率密度并滿(mǎn)足嚴格的效率法規要求以及系統正常運行時(shí)間要求，工業(yè)和功率電子設計人員在進(jìn)行設計時(shí)面臨著(zhù)不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機驅動(dòng)器、高密度電源、汽車(chē)以及井下作業(yè)等領(lǐng)域，要想增強這些關(guān)鍵設計性能，設計的復雜程度就會(huì )提高，同時(shí)還會(huì )導致總體系統成本提高。

為幫助設計人員解決這些難題，全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導體解決方案供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 發(fā)布了非常適合功率轉換系統的碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案，進(jìn)而拓展了公司在創(chuàng )新型高性能功率晶體管技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

圖題：飛兆半導體的碳化硅(SiC)解決方案

通過(guò)在產(chǎn)品組合中引入基于SiC技術(shù)的新產(chǎn)品成員，飛兆半導體進(jìn)一步鞏固了其在創(chuàng )新型高性能功率晶體管技術(shù)領(lǐng)域的產(chǎn)品領(lǐng)先地位。

飛兆半導體的SiC特性包括：

經(jīng)過(guò)優(yōu)化的半標準化自定義技術(shù)解決方案，可充分利用自身較大的半導體器件與模塊封裝技術(shù)組合憑借功能集成和設計支持資源簡(jiǎn)化工程設計難題的先進(jìn)技術(shù)，可在節約工程設計時(shí)間的同時(shí)最大限度地減少元器件數量。具有尺寸、成本和功率優(yōu)勢的較小型先進(jìn)封裝集成了領(lǐng)先的器件技術(shù)，可滿(mǎn)足器件制造商和芯片組供應商的需求

在飛兆半導體SiC組合中首先要發(fā)布的一批產(chǎn)品是先進(jìn)的SiC雙極結型晶體管(BJT)系列，該系列產(chǎn)品可實(shí)現較高的效率、電流密度和可靠性，并且能夠順利地進(jìn)行高溫工作。 通過(guò)利用效率出色的晶體管，飛兆半導體的SiC BJT實(shí)現了更高的開(kāi)關(guān)頻率，這是因為傳導和開(kāi)關(guān)損耗較低(30-50%)，從而能夠在相同尺寸的系統中實(shí)現高達40%的輸出功率提升。

這些強健的BJT支持使用更小的電感、電容和散熱片，可將系統總體成本降低多達20%。 這些業(yè)界領(lǐng)先的SiC BJT性能出眾，可促進(jìn)更高的效率和出色的短路及逆向偏壓安全工作區，將在高功率轉換應用的功率管理優(yōu)化中發(fā)揮重大作用。

飛兆半導體還開(kāi)發(fā)了即插即用的分立式驅動(dòng)器電路板（15A和50A版本），作為整套碳化硅解決方案的一部分，與飛兆半導體的先進(jìn)SiC BJT配合使用時(shí)，不僅能夠在減少開(kāi)關(guān)損耗和增強可靠性的條件下提高開(kāi)關(guān)速度，還使得設計人員能夠在實(shí)際應用中輕松實(shí)施SiC技術(shù)。飛兆半導體為縮短設計時(shí)間、加快上市速度，還提供了應用指南和參考設計。應用指南可供設計人員獲取SiC器件設計所必需的其他支持；參考設計有助于開(kāi)發(fā)出符合特定應用需求的驅動(dòng)器電路板。

SiC BJT和其他SiC

有史以來(lái)最高效的1200 V功率轉換開(kāi)關(guān)
最低的總損耗，包括開(kāi)關(guān)、傳導及驅動(dòng)器損耗
所有1200 V器件中最低的開(kāi)關(guān)損耗（任意RON條件下）
簡(jiǎn)單直接的驅動(dòng)
常關(guān)功能降低了風(fēng)險和復雜程度，并減少了限制性能的設計
穩定的基極輸入，對過(guò)壓/欠壓峰值不敏感   
強健且可靠
額定工作溫度高： Tj=175°C
由于RON具有正溫度系數，增益具有負溫度系數，因此易于并聯(lián)
穩定持久的Vbe正向電壓和反向阻隔能力

封裝和報價(jià)信息（訂購1,000個(gè)，美元）

飛兆半導體的SiC BJT采用TO-247封裝；符合條件的客戶(hù)從現在起即可獲取工程設計樣本。