【導讀】最近總結一下晶體管的一些基本知識，包含內容有晶體管的電流放大原理、輸出特性曲線(xiàn)、主要參數，本文介紹的內容，適合新手學(xué)習，就類(lèi)似于筆記記錄。
最近總結一下晶體管的一些基本知識，包含內容有晶體管的電流放大原理、輸出特性曲線(xiàn)、主要參數，本文介紹的內容，適合新手學(xué)習，就類(lèi)似于筆記記錄。
晶體管的基本放大電路
基本共射放大電路
共射放大電路回路組成
輸入回路：△u1是輸入電壓信號，經(jīng)過(guò)Rb接入基極和發(fā)射極回路
輸出回路：放大后的信號在集電極和發(fā)射極回路
發(fā)射極為兩個(gè)回路共用端，所以稱(chēng)為共射放大電路
晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件：發(fā)射結正向偏置，集電結反向偏置
為此我們需要基極電源VBB，集電極電源VCC，且VCC>VBB。
晶體管放大作用體現：很小的基極電流可以控制很大的集電極電流。
IE:發(fā)射結電流
IB:基極電流
IC:集電極電流
關(guān)系：IE=IB+IC
共射電流放大系數
一般認為：
電流放大關(guān)系公式
晶體管共射特性曲線(xiàn)
1.輸入特性曲線(xiàn)
描述特性：管壓降Uce一定時(shí)，基極電流iB與發(fā)射結壓降Ube之間的函數關(guān)系
晶體管輸入特性曲線(xiàn)
發(fā)射結與集電結并聯(lián)時(shí)（Uce=0），就是一個(gè)二極管狀態(tài)，與PN結伏安特性曲線(xiàn)類(lèi)似
對于確定的Ube，當Uce增大到一定值后，ic將不再增大，也即是ib基本不變。
2.輸出特性曲線(xiàn)
描述特性：基極電流Ib一定時(shí)，集電極電流Ic與管壓降Uce之間的函數關(guān)系。
晶體管輸出特性曲線(xiàn)
對于不同的Ib，都有一個(gè)對應的曲線(xiàn)
當Uce增大時(shí)，ic隨即增大，而當Uce增大到一定數時(shí)，集電結電場(chǎng)足以將基區非平衡少子的絕大部分收集到集電區，此時(shí)ic不再明顯增大，也就是說(shuō)，ic基本僅決定與ib。
晶體管三個(gè)工作區域
截止區：發(fā)射結電壓小于開(kāi)啟電壓且集電結反向偏置。共射電路中：Ube≤Uon且Uce>Ube，也就是基極電壓太小。
放大區：發(fā)射結正向偏置且集電結反向偏置。共射電路中：Ube>Uon且Uce≥Ube。此時(shí)ic基本僅決定與ib，與Uce無(wú)關(guān)，此時(shí)就用基極電流控制了集電極電流。
飽和區：發(fā)射結與集電結都處于正向偏置。共射電路中：Ube>Uon且Uce<Ube。此時(shí)ic除了與iB有關(guān)外，明顯隨著(zhù)Uce增大而增大。實(shí)際電路中判斷晶體管飽和時(shí)：如果晶體管Ube增大時(shí)，即iB增大，但是ic基本不變，即說(shuō)明晶體管進(jìn)入了飽和區。
晶體管溫度特性曲線(xiàn)
溫度對晶體管輸出特性的影響
實(shí)線(xiàn)是20℃時(shí)的特性曲線(xiàn)，虛線(xiàn)是60℃的特性曲線(xiàn)，可以看出，溫度升高，集電極電流增大。
集電極耗散功率增大，當硅管溫度大于150℃，鍺管溫度大于70℃時(shí)，管子性能就會(huì )損壞，所以對于大功率管，需要注意溫升測試并且選用合適的散熱器。
極間反向擊穿電壓
定義：晶體管某一極開(kāi)路時(shí)，另外兩個(gè)電極允許加的最高反向電壓
U(BR)CBO:發(fā)射極開(kāi)路時(shí)集電極-基極之間的反向擊穿電壓。
U(BR)CEO:基極開(kāi)路時(shí)集電極-發(fā)射極之間的反向擊穿電壓。
U(BR)EBO:集電極開(kāi)路時(shí)發(fā)射極-基極之間的反向擊穿電壓。
結構圖與實(shí)物圖
晶體管結構示意圖
晶體管實(shí)物圖
